中微半导体针对不同的应用需求,推出高度可靠的IGBT、功率 MOSFET及驱动器件,确保在方案应用中,器件保持最佳工作状态,并实现理想的整机效率。
名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
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CMS8324用户手册 | V1.0 | 30V三相PN栅极驱动 |
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CMS8324C用户手册 | V1.0 | 30V三相PN栅极驱动,内置78L05 |
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CMS6971用户手册 | V1.0 | 36V三相PN栅极驱动,内置5V/100mA LDO |
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CMS6541用户手册 | V1.0 | 多路对地开关,驱动端耐压35V |
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CMS6324用户手册 | V1.0 | 200V单相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC欠压保护 |
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CMS3960用户手册 | V1.0 | 内置MOSFET前置驱动和三相半桥MOS,输出电流2A@12V |
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CMS6126用户手册 | V1.0 | 600V单相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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CMS6164用户手册 | V1.0 | 200V三相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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