电机电源
中微半导体针对不同的应用需求，推出高度可靠的IGBT、功率 MOSFET及驱动器件，确保在方案应用中，器件保持最佳工作状态，并实现理想的整机效率。
| 名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| CMS6163N用户手册 | V1.0 | 180V三相双N栅极驱动，内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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| CMS8324C用户手册 | V1.0 | 30V三相PN栅极驱动，内置78L05 |
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| CMS6971用户手册 | V1.20 | 36V三相PN栅极驱动，内置5V/60mA LDO |
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| CMS6541用户手册 | V1.0 | 多路对地开关，驱动端耐压35V |
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| CMS6324用户手册 | V1.2 | 100V单相双N栅极驱动，内置死区时间、直通防止、VCC欠压保护 |
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| CMS3960用户手册 | V1.11 | 集成MOSFET前置驱动和三相半桥MOS，输出电流2A@12V |
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| CMS6126用户手册 | V1.11 | 600V单相双N栅极驱动，内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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| CMS6164用户手册 | V1.30 | 200V三相双N栅极驱动，内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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