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IPM驱动

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  • 产品概述

    CMS3D2XX电路是采用多芯片封装技术设计的大电流、高可靠性半桥驱动电路。该半桥电路高侧功率管采用P沟道VDMOS,低侧功率管采用N沟道VDMOS管,内部逻辑控制及功率管栅极驱动电路为采用BCD工艺设计的专用电路,实现半桥驱动电路功能。
    该半桥驱动电路采用两个输入信号控制高侧、低侧功率管的导通及关闭。控制方式为PWM/EN控制方式。电路内置了动态死区调节电路,检测到高侧功率管关闭后才允许开启低侧功率管,反之亦然。该半桥驱动电路最高工作电压为40V,封装形式为SOP8,持续电流能力为5A。
    该系列电路支持零待机功耗,通过EN信号高电平脉冲启动电路,启动延迟约30us。当EN信号低电平持续时间超过122ms,则电路进入零待机电流工作模式。

    IPM驱动产品系列:
  • 产品选型

    型号 封装形式 工作温度 (℃) 电压 (V) ID@12V 输入逻辑 驱动功率管类型 直通防止 输出通道 内置LDO 待机电流(uA) 温度保护 VM(UV+/UV-) 特点 RDS(on) 高侧/低侧MOS 过流保护 动态死区
    CMS3D214B SOP8 -40~105℃ 5~40V 5A PWM/EN P/N驱动功率管 单通道 0uA 4.0/3.5V 合封MOSFET 28/20 250ns
    CMS3D206C SOP8 -40~105℃ 5~30V 5A PWM/EN P/N驱动功率管 单通道 0uA 4.1/3.5V 合封MOSFET 29/19 250ns

  • 技术文档

    用户手册(2)
    名称 版本 描述 下载
    CMS3D206C用户手册 V1.0.0

    介绍了CMS3D206C芯片特性、性能指标、封装信息等

    下载 >
    CMS3D214B用户手册 V1.0.0

    介绍了CMS3D214B芯片特性、性能指标、封装信息等

    下载 >

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