休眠：

1.芯片在执行STOP指令后进入休眠模式，汇编指令为STOP，C编译时语句为asm(“SLEEP”)，在C中写STOP有可能不编译。
2.在休眠模式下，为了尽量降低电流消耗，所有I/O引脚都应该保持为VDD或GND，没有外部电路从I/O引脚消耗电流。为了避免输入引脚悬空而引入开关电流，应在外部将高阻输入的I/O引脚拉为高电平或低电平。为了将电流消耗降至最低，还应考虑芯片内部上拉电阻的影响。
3.在休眠模式下，需要将打开的可能造成电流消耗的模块关闭，比如触摸、AD、运放、中断等。
4.当MCU从休眠态被唤醒时，需要等待一个振荡稳定时间（Reset Time），这个时间标称值为18ms。为了减少电流消耗，可在休眠前先将振荡切换到31KHz上，唤醒后再切换到正常时钟。
5.休眠唤醒从下一条指令继续运行。如果GIE位被置1（允许），器件执行STOP指令之后的指令，然后跳转到中断地址 （0004h）处执行代码。如果不想执行STOP指令之后的指令，用户应该在STOP指令后面放置一条NOP指令。
6.使用PORTB口电平变化唤醒，需要在进入休眠前对PORTB进行读操作，让芯片记录当前口线电平。PORTB电平变化中断能将器件从休眠中唤醒，用户可在中断中通过以下方式清除中断：a、对PORTB进行读或写操作，结束电平不匹配状态；b、将RBIF标志位清零。

