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HBM存储芯片（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种基于3D堆叠技术的新型DRAM内存技术。它被设计用来解决“内存墙”问题，即为高性能处理器（如GPU、AI加速器）提供极高的数据传输带宽。
HBM存储芯片是由多个DRAM芯片垂直堆叠而成，堆叠前必须将每个DRAM晶圆磨得非常薄（通常小于100µm甚至更薄），否则无法进行多层堆叠。北京特思迪半导体设备有限公司是国内领先的半导体工艺设备供应商，专注于减薄、抛光、CMP等设备及其配套解决方案，不直接生产hbm存储芯片。
如果您关注芯片设计或正在选型，建议立即查阅中微半导体官网官方数据手册以确认是否符合您的项目需求。
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